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IGBT E1

◆熱膨脹系數與半導體芯片和陶瓷基片有良好的匹配性

◇具有高的熱循環能力(比銅的熱循環,其上萬次熱循環,模塊仍然工作良好)

◆具有高的熱導率

◇200W/mK @25℃ 
◆密度小質量輕

◇只有銅的1/3

◇2.95-3.05g/cm?

◆剛度大、強度高

◆表面設計成一平面和一拱面

◇平面上進行芯片的焊接,拱面與散熱器連接 
◆標準尺寸或自由設計尺寸

◆低成本有槽、孔的鑄造方案

◆表面處理

◇表面可鍍啞光鎳、光亮鎳等

◇鍍后可做阻焊層

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